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　　這款晶圓少子壽命測(cè)量?jī)x是為晶圓少數(shù)載流子復(fù)合壽命測(cè)量設(shè)計(jì)的少子壽命測(cè)試儀器。

　　晶圓少子壽命測(cè)量?jī)x采用半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC技術(shù)和瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退技術(shù)測(cè)量在10ns~10ms范圍的少子壽命。其中準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC非常適合監(jiān)測(cè)多晶硅晶圓,摻雜擴(kuò)散和低壽命樣品。瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退適合較高少子壽命的晶圓測(cè)量。準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命測(cè)量方法QSSPC技術(shù)壽命測(cè)量也得出隱含開路電壓（對(duì)照度）曲線，與I-V曲線相當(dāng)。

　　晶圓少子壽命測(cè)量?jī)x特色

　　?單鍵識(shí)別硅片的關(guān)鍵特性，包括片材電阻，壽命，陷阱密度，發(fā)射極，飽和電流密度，電壓

　　?校準(zhǔn)載流子壽命與注入水平產(chǎn)生,結(jié)果是普遍的認(rèn)可的

　　晶圓少子壽命測(cè)量?jī)x應(yīng)用

　　主要用途：逐步監(jiān)測(cè)晶圓 以及制造工藝的優(yōu)化

　　其他應(yīng)用：

　　?監(jiān)控初始材料質(zhì)量

　　?檢測(cè)過程中的重金屬污染

　　晶圓加工

　　?表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散

　　?使用隱含的I-V測(cè)量

　　晶圓少子壽命測(cè)量?jī)x規(guī)格參數(shù)

　　可測(cè)值:壽命,電阻率,發(fā)射極飽和電流密度,陷阱密度,一個(gè)太陽(yáng)Voc

　　壽命測(cè)量范圍:100 ns到大于10 ms

　　測(cè)量（分析）模式:準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)壽命QSSPC、瞬態(tài)壽命和廣義壽命分析

　　電阻率測(cè)量范圍：3–600）歐姆/平方英寸，（未摻雜）

　　可用光偏壓范圍：0–50個(gè)太陽(yáng)

　　典型校準(zhǔn)注射范圍：10^13~10^16 cm^-3

　　可用光譜: 白光和紅外照明

　　傳感器面積: 40mm直徑

　　樣本大小，標(biāo)準(zhǔn)配置: 標(biāo)準(zhǔn)直徑：40–210mm

　　晶圓厚度范圍: 10–2000μm（校準(zhǔn)）,可測(cè)量其他厚度