原子層沉積系統(tǒng)ALD 用於薄膜沉積的原子層沉積是基於順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，也稱為“反應(yīng)物"）。這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式，一次與一種材料的表面反應(yīng)。通過多個ALD循環(huán)，薄膜被緩慢沉積。 ALD為製造半導(dǎo)體元件的重要製程，並且是可用於合成納米材料主要工具的一部分。
原子層沉積系統(tǒng)ALD具有許多優(yōu)點，例如出色的均勻性，在複雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性，低溫處理。因此，ALD被應(yīng)用於微電子，納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中，這些領(lǐng)域經(jīng)常在有機和生物樣品之類的軟基底。上工作。
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